远拓机电中频感应加热设备的发展趋势？

中频感应加热设备的发展趋势如下：

  1.主电路功率开关器件的自关断化、模块化、集成化、智能化；开关频率不断提高。开关损耗进一步降低。

  2.对低压小容量的装置常采用6脉波整流器；而对中压大容量的装置采用12脉波、24脉波整流器，降低对电源系统的谐波干扰，以及对周围电子设备的电磁辐射干扰。

  3.微处理器的进行使数字控制成为现在控制器的发展方向。近几年来，我国及国外各大公司纷纷推出以DSP为基础的内核，配以所需的外围功能电路，集成在单一芯片内的称为DSP单片控制器，价格大大降低，体积缩小，结构紧凑，使用便捷，可靠性提高，DSP和普通的单片机相比，处理数字运算能力增强10~15倍，可确保系统有更优越的控制性能。数字控制使硬件简化，各种智能控制算法将会使控制性能得到很大的提高，可实现复杂控制规律，使现代控制理论在控制系统中应用成为现实，易于与上层系统连接进行数据传输，便于故障诊断、加强保护和监视功能，从而提高系统的智能化水平。

  4.中频感应加热设备的大容量化技术，从电路的角度来考察可以分为两大类；一类是器件的串、并联，另一类是多台电源的并联。在器件的串、并联方式中，必须认真处理串联器件的均压问题和并联器件的均流问题。由于器件制造工艺和参数的离散性，限制了器件的串、并联数目，且串、并联数越多，装置的可靠性越差。MOSFET和IGBT电源有重叠部分，由于MOSFET是多载流子器件，不存在存储时间，因此它的开关时间远小于IGBT；另外，MOS-FET不存在二次击穿问题，具有矩形安全区，驱动功率小，易并联等优点，非常适合于高频大功率感应加热电源。采用MOSFET可能引起的问题是，由于它是高速开关则对布线要求苛刻，而高压MOSFET的通态损耗较大在相同频率下尽量选用IGBT。